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IRFBE30PBF

Name: IRFBE30PBF
Brand: WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED
Availability: InStock

fabricant:

Vishay Siliconix

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

Kategorie:

Halbleiter IC

Spezifikationen

Kategorie:

Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 250µA

Betriebstemperatur:

-55 °C bis 150 °C (TJ)

Packung / Gehäuse:

TO-220-3

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:

78 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

3 Ohm @ 2,5 A, 10 V

FET-Typ:

N-Kanal

Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):

10 V

Paket:

Schlauch

Abflussspannung zur Quelle (Vdss):

800 V

Vgs (maximal):

± 20V

Produktstatus:

Aktiv

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:

1300 PF @ 25 V

Typ der Montage:

Durchs Loch

Reihe:

Lieferanten-Gerätepaket:

TO-220AB

Mfr:

Vishay Siliconix

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:

4.1A (Tc)

Verlustleistung (maximal):

125W (Tc)

Technologie:

MOSFET (Metalloxid)

Basisproduktnummer:

IRFBE30

Einleitung

N-Kanal 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB

Schlagworte:

Halbgatter-Treiber,

Beschleunigungsmesser,

Bewegungsmelder ic

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