IRFR014TRLPBF
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 4,6A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
300 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
D-PAK
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
7.7A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
IRFR014
Einleitung
N-Kanal 60 V 7,7 A (Tc) 2,5 W (Ta), 25 W (Tc) Oberflächenbefestigung D-Pak
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