SUD19N20-90-E3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 19A bis 252
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
51 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
90 mOhm @ 5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
200 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1800 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
19A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
3W (Ta), 136W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SUD19
Einleitung
N-Kanal 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Oberflächenbefestigung TO-252AA
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