IRFR430ATRPBF
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.7 Ohm @ 3A, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
500 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
490 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
D-PAK
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
5A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
110W (TC)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
IRFR430
Einleitung
N-Kanal 500 V 5A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenbefestigung D-Pak
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