SI4056ADY-T1-GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 5,9A/8,3A 8SOIC
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET-Typ:
N-Kanal
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Reihe:
TrenchFET®
Vgs (maximal):
± 20V
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29.2mOhm @ 5,9A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 50 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI4056
Einleitung
N-Kanal 100 V 5,9 A (Ta), 8,3 A (Tc) 2,5 W (Ta), 5 W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-SOIC
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