SUD50P04-08-GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
159 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8.1mOhm @ 22A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5380 pF @ 20 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta), 73,5W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SUD50
Einleitung
P-Kanal 40 V 50 A (Tc) 2,5 W (Ta), 73,5 W (Tc) Oberflächenhalter TO-252AA
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