SIR182DP-T1-RE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
64 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.8mOhm @ 15A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
7.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3250 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET® Gen IV
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
69.4W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SIR182
Einleitung
N-Kanal 60 V 60 A (Tc) 69,4 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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