Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu berücksichtigen.
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
135 nC @ 10 V
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
TrenchFET®
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
174mOhm @ 3,8A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Verlustleistung (maximal):
1,9 W (TA)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
200 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI7431
Einleitung
P-Kanal 200 V 2,2 A (Ta) 1,9 W (Ta) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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