Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 der Kommission [2] zu entnehmen.
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28 mOhm @ 5A, 4,5 V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1,5 V, 4,5 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
12 V
Vgs (maximal):
±8V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1275 pF @ 6 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI2333
Einleitung
P-Kanal 12 V 6A (Tc) 1,2 W (Ta), 1,7 W (Tc) Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)
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