Vishay Halbleiter
Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Vishay ESD Suppressoren TVS Dioden 600W 7,5 V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A |
Vishay ESD-Suppressoren TVS-Dioden 600W 7,5V 5% Unidir
|
|
|
|
|
![]() |
VO1263AACTR |
Fotodioden-Ausgangs-Optikopplungen Dual Photovoltaic MOSFET-Treiber
|
|
|
|
|
![]() |
VO3120-X007T |
Logische Ausgang Optocouplers 2.5A Strom aus IGBT/MOSFET Drvr
|
|
|
|
|
![]() |
VOM160RT |
Triac- und SCR-Ausgangsoptokopler 600V 10mA 0,5K DV/DT Nicht-Null-Kreuzung
|
|
|
|
|
![]() |
6N137-X007T |
Hochgeschwindigkeits-Optikopplungen 10Mbd Hochgeschwindigkeits-Einzel-CTR> 300%
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
Transistor-Ausgang Optocouplings Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR> 160-256%
|
|
|
|
|
![]() |
VOS615A-2X001T |
Transistor-Ausgangs-Optikopplungen CTR 63-125% 10MA
|
|
|
|
|
![]() |
SFH6156-3T |
Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR 100-200%
|
|
|
|
|
![]() |
TCLT1000 |
Transistor-Ertrag-Optokoppler-Fototransistor heraus
|
|
|
|
|
![]() |
VOS628A-2X001T |
Transistorausgang Optocouplings AC-Eingang, Photonstr 63-125% CTR VDE
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Transistorausgangsoptokopplungen H. Relblty 5300 Vrms 63-125%
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Fahrzeuge. |
Transistorausgang Optocouplers Optocplr Phototrnstr 100-200% CTR
|
|
|
|
|
![]() |
TCLT1009 |
Transistorausgang Optocouplings Phototransistor Ausgang Einzel CTR 200-400%
|
|
|
|
|
![]() |
Der Anteil der |
Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Quad CTR > 20%
|
|
|
|
|
![]() |
CNY65AGRST |
Transistorausgang Optocouplers FOTONTRANSISTOR aus CTR 100-300
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Transistorausgang Optocouplers Optocplr Phototrnstr 100-200% CTR VDE
|
|
|
|
|
![]() |
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte |
Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR> 100-200%
|
|
|
|
|
![]() |
CNY 66 |
Transistor-Ertrag-Optokoppler-Fototransistor heraus
|
|
|
|
|
![]() |
SIHB33N60ET1-GE3 |
MOSFET N-KANAL 600V
|
|
|
|
|
![]() |
SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
|
|
|
|
|
![]() |
IRFB18N50KPBF |
MOSFET N-Chan 500V 17 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
SI7956DP-T1-GE3 |
MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
|
|
|
|
|
![]() |
IRFPC60LCPBF |
MOSFET N-Chan 600V 16 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
|
|
|
|
|
![]() |
SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 Mohm
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. |
MOSFET 30V 6,0A 6,3W 30mohm @ 10V
|
|
|
|
|
![]() |
SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mAh @ 10V
|
|
|
|
|
![]() |
SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
|
|
|
|
|
![]() |
IRL520PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
IRF9530STRLPBF |
MOSFET P-Chan 100V 12 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET-Lastschalter 1,8 V RA W/ LEVEL SHIFT
|
|
|
|
|
![]() |
SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifiziert
|
|
|
|
|
![]() |
IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6,1 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 Mohms @ 4,5V
|
|
|
|
|
![]() |
SIS413DN-T1-GE3 |
MOSFET -30V 9,4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
|
|
|
|
|
![]() |
IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 Ampere
|
|
|
|
|
![]() |
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
|
|
|
|
|
![]() |
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualifiziert
|
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Schottky-Dioden und Berichtigungsvorrichtungen 2X3.5A 100V gemeinsame Kathode
|
|
|
|
|
![]() |
VS-10MQ100NTRPBF |
Schottky-Dioden u. -gleichrichter 2,1 Ampere 100 Volt
|
|
|
|
|
![]() |
VS-20CDH02HM3/I |
Ausrüstung für die Anpassung an die Wärme
|
|
|
|
|
![]() |
VS-HFA16PB120-N3 |
Ausrichtungsgeräte 16A 1200V Ultrafast 30ns HEXFRED
|
|
|
|
|
![]() |
DG409DY-T1-E3 |
Multiplexer-Switch-ICs mit doppelter Differenz 4:1, 2-Bit-Multiplexer/MUX
|
|
|
|
|
![]() |
DG408DY-T1-E3 |
Multiplexer-Switch-ICs Einzel 8:1, 3 Bit 20/25 V
|
|
|
|
|
![]() |
DG408DQ-T1-E3 |
Multiplexer-Switch-ICs Einzel 8:1, 3-Bit-Multiplexer/MUX
|
|
|
|