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Halbleiter IC

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
Qualität Die Ausrüstung ist in der Form von einem Füllkörper. usine

Die Ausrüstung ist in der Form von einem Füllkörper.

MOSFET N-CHANNEL 950V 38A bis 247
STMikroelektronik
Qualität Stellvertretung usine

Stellvertretung

MOSFET N-CH 950V 17,5A TO247
STMikroelektronik
Qualität Die Ausrüstung ist in der Lage, usine

Die Ausrüstung ist in der Lage,

MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
STMikroelektronik
Qualität STP21N90K5 usine

STP21N90K5

MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
STMikroelektronik
Qualität STP43N60DM2 usine

STP43N60DM2

MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität STF33N60M2 usine

STF33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
STMikroelektronik
Qualität St.B.30N80K5 usine

St.B.30N80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
STMikroelektronik
Qualität STP100N10F7 usine

STP100N10F7

MOSFET N CH 100V 80A bis 220
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STMikroelektronik
Qualität STD6N95K5 usine

STD6N95K5

MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
STMikroelektronik
Qualität STL18N65M2 usine

STL18N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
STMikroelektronik
Qualität STD25NF10LA usine

STD25NF10LA

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMikroelektronik
Qualität STD10P10F6 usine

STD10P10F6

MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
STMikroelektronik
Qualität SCT040H65G3AG usine

SCT040H65G3AG

SILICON-CARBID für die Automobilindustrie
STMikroelektronik
Qualität STW9NK90Z usine

STW9NK90Z

MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
STMikroelektronik
Qualität STP140N8F7 usine

STP140N8F7

MOSFET N-CH 80V 90A TO220
STMikroelektronik
Qualität STL140N6F7 usine

STL140N6F7

MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität NVD5C684NLT4G usine

NVD5C684NLT4G

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Einheitlich
Qualität SQJ409EP-T1_GE3 usine

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Qualität Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden. usine

Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden.

MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
STMikroelektronik
Qualität SCTW70N120G2V usine

SCTW70N120G2V

Bei der Übertragung von Kraftfahrzeugen auf die Schiene wird die Kraftfahrzeugverbindung mit dem Fah
STMikroelektronik
Qualität STD13N60DM2 usine

STD13N60DM2

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STMikroelektronik
Qualität Die Bezeichnung "B" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung. usine

Die Bezeichnung "B" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung.

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die Bezeichnung ist: STN1NF20 usine

Die Bezeichnung ist: STN1NF20

MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
STMikroelektronik
Qualität Einheit für die Überwachung der Luftfahrt usine

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
STMikroelektronik
Qualität NTMFS5C628NLT1G usine

NTMFS5C628NLT1G

MOSFET N-CH 60V 5DFN
Einheitlich
Qualität STD10LN80K5 usine

STD10LN80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität FDP032N08 usine

FDP032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Einheitlich
Qualität STF24N65M2 usine

STF24N65M2

MOSFET N-CH 650V 16A bis 220FP
STMikroelektronik
Qualität STF28NM50N usine

STF28NM50N

MOSFET N-CH 500V 21A bis 220FP
STMikroelektronik
Qualität STP24N60DM2 usine

STP24N60DM2

MOSFET N-CH 600V 18A bis 220
STMikroelektronik
Qualität STD25N10F7 usine

STD25N10F7

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMikroelektronik
Qualität STW26NM60N usine

STW26NM60N

MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
STMikroelektronik
Qualität STD100N10F7 usine

STD100N10F7

MOSFET N CH 100V 80A DPAK
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die Bezeichnung ist nicht erforderlich. usine

Die Bezeichnung ist nicht erforderlich.

MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STMikroelektronik
Qualität Stellvertretung usine

Stellvertretung

MOSFET N-CH 600V 34A bis 247
STMikroelektronik
Qualität Die Bezeichnung ist: usine

Die Bezeichnung ist:

MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität Die Ausrüstung ist in der Regel mit einer Breite von mehr als 20 mm. usine

Die Ausrüstung ist in der Regel mit einer Breite von mehr als 20 mm.

MOSFET N-CH 600V 66A bis 247
STMikroelektronik
Qualität STF11NM80 usine

STF11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
STMikroelektronik
Qualität Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 erfasst. usine

Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 erfasst.

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMikroelektronik
Qualität MMBFJ309LT1G usine

MMBFJ309LT1G

Wird die Verarbeitung in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt, so ist die Verarbeitung in einem
Einheitlich
8 9 10 11 12