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Halbleiter IC

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
Qualität Stellenabschnitte usine

Stellenabschnitte

Diode Schottky 60V 2A SMA
STMikroelektronik
Qualität ES2D usine

ES2D

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
Einheitlich
Qualität BAT41KFILM usine

BAT41KFILM

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
STMikroelektronik
Qualität BAT54KFILM usine

BAT54KFILM

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
STMikroelektronik
Qualität 1N4148WS usine

1N4148WS

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität S1M usine

S1M

Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
SMC-Diodenlösungen
Qualität Stellenabbau usine

Stellenabbau

Diodenarray SCHOTTKY 45V bis 247AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität STPSC40H12CWL usine

STPSC40H12CWL

Diodenarray SCHOTTKY 1200V bis 247
STMikroelektronik
Qualität Stellenabschnitte usine

Stellenabschnitte

Diodenarray SCHOTTKY 25V bis 220AB
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung von Dienstleistungen. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung von Dienstleistungen.

Diodenarray SCHOTTKY 650V bis 247
STMikroelektronik
Qualität STTH30AC06CWL usine

STTH30AC06CWL

Diodenarray GP 600V 15A bis 247
STMikroelektronik
Qualität Stellenausschreibung: usine

Stellenausschreibung:

Diode Schottky TO220AB
STMikroelektronik
Qualität Std.30W02CW usine

Std.30W02CW

Diodenarray GP 200V 15A bis 247
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.

Diodenarray SCHOTTKY 150V bis 220
STMikroelektronik
Qualität Stellenaufnahme usine

Stellenaufnahme

Diode-Streifen SCHOTTKY 200V bis 247
STMikroelektronik
Qualität BAV23CLT1G usine

BAV23CLT1G

Dioden-Streuer GP 250V 400MA SOT23
Einheitlich
Qualität Std3002CT usine

Std3002CT

Diodenarray GP 200V 15A bis 220AB
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
STMikroelektronik
Qualität Die Bezeichnung "Behandlungsanlage" ist die Bezeichnung für die Einrichtung. usine

Die Bezeichnung "Behandlungsanlage" ist die Bezeichnung für die Einrichtung.

Diodenarray GP 200V 8A DPAK
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht.

Diodenarray GP 600V 8A TO220FP
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Dioden-Streifen GP 200V 10A TO220FP
STMikroelektronik
Qualität STPS61170CW usine

STPS61170CW

DIODEN-REIHE SCHOTTKY 170V TO247
STMikroelektronik
Qualität STTH2002CT usine

STTH2002CT

Diodenarray GP 200V 15A bis 220AB
STMikroelektronik
Qualität Die Bezeichnung "BAT54AWFILMY" usine

Die Bezeichnung "BAT54AWFILMY"

Diodenarray SCHOTTKY 40V SOT323
STMikroelektronik
Qualität BAS70-04FILM usine

BAS70-04FILM

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
STMikroelektronik
Qualität BAT-ACE-Basis für die Verwendung von Filmen usine

BAT-ACE-Basis für die Verwendung von Filmen

Diodenarray SCHOTTKY 40V SOT23-3
STMikroelektronik
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.

Dioden-Streifen GP 300V 10A TO220FP
STMikroelektronik
Qualität STPS16170CB-TR usine

STPS16170CB-TR

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
STMikroelektronik
Qualität Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführte Menge ist: usine

Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführte Menge ist:

Diodenarray
STMikroelektronik
Qualität 1SMB5920BT3G usine

1SMB5920BT3G

Diode Zener 6,2V 3W SMB
Einheitlich
Qualität MM3Z18VT1G usine

MM3Z18VT1G

Diode Zener 18V 300MW SOD323
Einheitlich
Qualität 1N5342BRLG usine

1N5342BRLG

Diode ZENER 6,8V 5W axiale
Einheitlich
Qualität 1N4746A usine

1N4746A

Diode Zener 18V 1W DO41
Einheitlich
Qualität 1N4744A usine

1N4744A

Diode Zener 15V 1W DO41
Einheitlich
Qualität Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu finden. usine

Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu finden.

Trans Prebias PNP 50V 100MA SC75
Einheitlich
Qualität MMUN2233LT1G usine

MMUN2233LT1G

Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
Einheitlich
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 geändert. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 geändert.

Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
Einheitlich
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
Einheitlich
Qualität DTC114YET1G usine

DTC114YET1G

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
Einheitlich
Qualität MUN5235DW1T1G usine

MUN5235DW1T1G

Einheitlich
Qualität NSVMUN5312DW1T2G usine

NSVMUN5312DW1T2G

Einheitlich
Qualität Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: usine

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Einheitlich
Qualität Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität ULN2803A usine

ULN2803A

Trans 8NPN DARL 50V 0,5A 18DIP
STMikroelektronik
Qualität Die Prüfungen werden in der folgenden Tabelle durchgeführt: usine

Die Prüfungen werden in der folgenden Tabelle durchgeführt:

Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SO
STMikroelektronik
Qualität Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SO
STMikroelektronik
Qualität STP110N8F6 usine

STP110N8F6

MOSFET N-CH 80V 110A TO220
STMikroelektronik
Qualität Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

MOSFET N-CH 300V 60A bis 247
STMikroelektronik
Qualität STD11N65M2 usine

STD11N65M2

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STMikroelektronik
Qualität STF16N65M2 usine

STF16N65M2

MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
STMikroelektronik
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