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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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NTMD4840NR2G |
MOSFET NFET SO8 30V 7,5A 0,034R
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Einheitlich
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FDP51N25 |
MOSFET 250 V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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NDS9407 |
MOSFET Einzel-P-Ch-MOSFET-Leistungsgraben
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Fairchild Halbleiter
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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2N7000TA |
MOSFET 60V N-Kanal
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Fairchild Halbleiter
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NVMFS5C404NLWFT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
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Einheitlich
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FDMS8320L |
MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDMS7602S |
MOSFET 30V Doppel-N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FCD380N60E |
MOSFET 600V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS6990AS |
MOSFET 30 V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. |
MOSFET 30V 6,0A 6,3W 30mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FDC6305N |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
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Fairchild Halbleiter
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IPD15N06S2L-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. |
MOSFET JET Serie MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
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Renesas Electronics
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FDC6420C |
MOSFET 20V/-20V N/P
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Fairchild Halbleiter
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NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
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Einheitlich
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Fairchild Halbleiter
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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IRL520PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Ampere
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Vishay Halbleiter
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NVD2955T4G |
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
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Einheitlich
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FDA59N30 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IRF9530STRLPBF |
MOSFET P-Chan 100V 12 Ampere
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Vishay Halbleiter
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ECH8697R-TL-W |
MOSFET NCH 2,5 V Gemeinsamer Abfluss
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Einheitlich
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IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FDBL0330N80 |
MOSFET zu bleifreiem MV7 80V
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Fairchild Halbleiter
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FDD8874 |
MOSFET 30V N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FDS4559 |
MOSFET 60V/60V N/P
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Fairchild Halbleiter
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SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET-Lastschalter 1,8 V RA W/ LEVEL SHIFT
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Vishay Halbleiter
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SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds ((on) 24h
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Siliconix / Vishay
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NTTFS4937NTWG |
MOSFET 30V 75A 4,5 mOhm Einzel-N-Kanal u8FL
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Einheitlich
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NCV8405ASTT1G |
MOSFET selbstgeschützte untere Seite F
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Einheitlich
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FDC6312P |
MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
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Fairchild Halbleiter
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NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
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Einheitlich
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Ampere
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Vishay Halbleiter
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2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2,5 Ohm
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Einheitlich
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IPD50N08S4-13 |
MOSFET N-Kanal 75/80V
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Infineon Technologies
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NTZD3154NT5G |
MOSFET 20V 540mA Doppel-N-Kanal mit ESD
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Einheitlich
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Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1372/2008 enthalten. |
MOSFET N-CH Leistung MOSFET 1500V 2,5A
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Einheitlich
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NTD6416ANT4G |
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
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Einheitlich
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IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6,1 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FDP61N20 |
MOSFET 200 V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 Mohms @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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NTR2101PT1G |
MOSFET -8V 3.7A P-Kanal
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Einheitlich
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NVD5862NT4G |
MOSFET NFET 60V 98A 5,7 MOHM
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Einheitlich
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Einheitliche Prüfungen |
MOSFET MOSFET
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Infineon Technologies
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