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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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EP3C40F780I7N |
FPGA - Feldprogrammierbare Tor-Array FPGA - Zyklon III 2475 LABs 535 IO
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Altera / Intel
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5CGXFC4C7F23C8N |
FPGA - Feldprogrammierbare Tor-Array FPGA - Zyklon V GX 1886 LABs 240 IO
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Altera / Intel
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A3P060-VQG100 |
FPGA - Feldprogrammierbares Tor Array ProASIC3
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Mikrosemi
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Verwendung von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
Doppel-Hex-Treiber
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Einheitlich
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NVDSH50120C |
Diode SIL CARB 1,2 KV 53A TO247-2
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Einheitlich
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1N4148WT |
Schalter SOD-523 80V 150MW
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- Ja.
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1N4148WS |
Diode, Schaltanlage, 300 MA, 75 V, SO
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Good-Ark Halbleiter
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S1G |
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von
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- Ja.
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ES1J |
Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von
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- Ja.
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ES1G |
Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von
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- Ja.
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S1M |
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mindestens 20 mm ausgestattet.
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- Ja.
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ES3J |
- Das ist ein Superschnellkorrekturgerät.
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Good-Ark Halbleiter
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ES2D |
Richter, super schnell, 2A, 200V,
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Good-Ark Halbleiter
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ES1D |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.
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- Ja.
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LL4148 |
Diode, Schalter, 150 MA, 75 V, MI
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Good-Ark Halbleiter
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MURS120HE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S3BB |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MURS340-M3/9AT |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1N5617E3 |
Diode GEN PURP 400V 1A AXIAL
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Mikrochiptechnik
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MURS360BT3G |
Diode GEN PURP 600V 3A SMB
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Einheitlich
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NRVB140SFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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VS-20MQ100-M3/5AT |
Diode SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS20-HE3-18 |
Diode GP 150V 200MA SOT23-3
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MBRS410LT3G |
Diode SCHOTTKY 10V 4A SMC
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Einheitlich
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Die Nomenklatur ist die Nomenklatur der Nomenklatur. |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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MUR860G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MBRS3100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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MURS240T3G |
Diode GEN PURP 400V 2A SMB
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Einheitlich
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MURA240T3G |
Diode GEN PURP 400V 2A SMA
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diode GEN PURP 600V 2A SMA
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Einheitlich
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MBRS260T3G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Einheitlich
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NRVTSM260EV2T1G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A Leistung
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Einheitlich
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MURS320T3G |
Diode GEN PURP 200V 3A SMC
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Einheitlich
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MBRA340T3G |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Einheitlich
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MBRM140T1G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A Leistung
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Einheitlich
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBR120VLSFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBRS340T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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Einheitlich
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SS16T3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Einheitlich
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MBR120LSFT3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBR2H100SFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Dioden.
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Einheitlich
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NRVB0540T1G |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Einheitlich
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MRA4007T3G |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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Einheitlich
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MBRM2H100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 2A Leistung
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Einheitlich
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SBAS20HT1G |
Dies ist der Fall, wenn die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten nicht mehr als zwei Jahre nach d
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Einheitlich
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MURS260-E3/52T |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NRVUS1MFA |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Einheitlich
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MURD320T4G |
DPAK-Diode für die Erzeugung von PURP 200V 3A
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Einheitlich
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MURS360T3G |
Diode GEN PURP 600V 3A SMC
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Einheitlich
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