Filter
Filter
Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBRS3200T3G |
Diode Schottky 200V 3A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRS240LT3G |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SS24T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR140ESFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 600V 30A bis 247AD
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
VS-20ETS08-M3 |
Diode GEN PURP 800V 20A bis 220AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MUR460RLG |
Diode GEN PURP 600V 4A axiale
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
US1GHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
RS1J |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NSR0240HT1G |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
GP02-40-E3/54 |
Diode GEN PURP 4KV 250MA DO204AL
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MBRS2040LT3G |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURA120T3G |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Bei der Verwendung von Zylindern |
DIODE GP 1,65KV 1,5A DO204AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Es ist jedoch nicht möglich, die entsprechenden Angaben zu erstellen. |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
ES3G-E3/9AT |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SBAS16XV2T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURS360-M3/9AT |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
VS-1EQH01-M3/H |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SBAS16HT1G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 auf
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NSVBAS21HT3G |
Diode GEN PURP 250V 200MA SOD323
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Diode-Avalanche 1,3 KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SF1600-TR |
Dioden-Avalanche 1,6 KV 1A SOD57
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
US1DFA |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmenge.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
VS-3EGU06-M3/5BT |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Verwendung von
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu entnehmen. |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 1,2KV 8A bis 220AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
FFSP1065A |
Diode SIL CARB 650V 15A bis 220-2L
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
VS-EPH3006-N3 |
Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Fahrzeuge, die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 715/2009 aufgeführt sind. |
Diode GEN PURP 600V 2,9A bis 277A
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Bei der Prüfung der Ausrüstung werden die folgenden Anforderungen erfüllt: |
Diode AVAL 1,6KV 1,5A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
BYG23M-E3/TR |
Dioden-Avalanche 1KV 1,5A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
NRVBA160NT3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
HSM221CTL |
Zulassung für die Verwendung in Kraftfahrzeugen mit einer Leistung von mehr als 100 W
|
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 600V 12A bis 252
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MSS1P6-M3/89A |
Diode SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
EGF1T-E3/67A |
Diode GEN PURP 1,3 KV 1A DO214BA
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Einheit für die Bereitstellung von Daten |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
S3M-E3/57T |
Diode GEN PURP 1KV 3A DO214AB
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die RGF1D-E3/67A |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SBYV26C-E3/54 |
Diode GEN PURP 600V 1A DO204AL
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Ausrüstung wird von der Anlage erzeugt.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
V2FM15HM3/H |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Er
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
S2JHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
ES1DHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Diode Schottky 100V 1A DO219AB
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
S3JHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
