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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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MT48LC8M8A2P-6A:J |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MTFC4GACAJCN-1M GEWICHT |
IC FLASH 32G MMC 153VFBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 geändert. |
8-Bit-Mikrocontroller - MCU 5V 8B MCU
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STMikroelektronik
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S908AB32AE2MFUE |
8 Bit Mikrocontroller - MCU BL Mikrocontroller
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Freescale / NXP
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Siehe auch: |
8 Bit Mikrocontroller - MCU AVR 4KB FLSH 64B EE 256B SRAM-12MHz, IND
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Atmel / Mikrochip-Technologie
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PIC12F609-I/P |
8-Bit-Mikrocontroller - MCU 1.75KB Flash, I TEMP 8MHz interner Oszillator
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Mikrochiptechnik
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ATTINY24A-SSUR |
8-Bit Mikrocontroller - MCU AVR 2KB FLSH 128B EE USI ADC 20MHz 1,8V
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Atmel / Mikrochip-Technologie
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Die Bezeichnung "ATmega-644PA-AU" ist: |
8-Bit-Mikroregler - MCU 64K grelles 2K EEPROM 4K SRAM 32 IO-Stifte
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Atmel / Mikrochip-Technologie
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CY8C4025LQS-S411 |
ARM-Mikrocontroller – MCU PSoC4
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Zypress Halbleiter
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R5F1026AASP#35 |
16-Bit-Mikrocontroller – MCU 16BIT MCU RL78/G12 16K LSSOP20 -40/+85C
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Renesas Electronics
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HD64F3062BFBL25V |
H8/300H-Serie Mikrocontroller IC 16-Bit 25MHz 128KB (128K x 8) FLASH 100-QFP
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Renesas Electronics
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MMBFJ309LT1G |
JFET 25V 10mA
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Einheitlich
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MMBFJ177LT1G |
JFET 25V 10mA
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Einheitlich
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NJVMJD117T4G |
Darlington Transistoren BIP PNP 2A 100V TR
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Einheitlich
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ULQ2003ADR2G |
Darlington Transistoren Darlington TRNS ARRY
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Einheitlich
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NJVMJD32CT4G |
Darlington Transistoren BIP DPAK PNP 3A 100V TR
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Einheitlich
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MJD122T4G |
Darlington-Transistoren 8A 100V Bipolarleistung NPN
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Einheitlich
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BD681G |
Darlington-Transistoren 4A 100V Bipolarleistung NPN
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Einheitlich
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MJH6284G |
Darlington-Transistoren 20A 100V Bipolarleistung NPN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Darlington Transistoren Hochspannung Hochstrom Darlington
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Einheitlich
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BD682G |
Darlington-Transistoren 4A 100V 40W PNP
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Einheitlich
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MJD127T4G |
Darlington-Transistoren 8A 100V Bipolarleistung PNP
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Einheitlich
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NJVMJD122T4G |
Darlington Transistoren BIP DPAK NPN 8A 100V TR
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Einheitlich
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ULN2003ADR2G |
Darlington Transistoren Darlington TRNS ARRY
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Einheitlich
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TIP122G |
Darlington-Transistoren 5A 100V Bipolarleistung NPN
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Einheitlich
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Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 enthalten. |
Darlington-Transistoren 300mA 30V NPN
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Einheitlich
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BSP52T3G |
Darlington Transistoren SS DL XSTR NPN 80V
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Einheitlich
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MJH6287G |
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Einheitlich
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NJD35N04T4G |
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Einheitlich
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RJH60F7BDPQ-A0#T0 |
IGBT-Transistoren
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Renesas Electronics
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NGTB25N120FL3WG |
IGBT-Transistoren IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
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Einheitlich
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FGA40T65SHD |
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
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Fairchild Halbleiter
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FGH60N60SMD |
IGBT-Transistoren 600V/60A Feldstop IGBT-Version 2
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Fairchild Halbleiter
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NGTB50N120FL2WG |
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Einheitlich
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FGH75T65UPD |
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Fairchild Halbleiter
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MUN5235DW1T1G |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA 50V BRT Dual NPN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
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Einheitlich
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DTC114YET1G |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 geändert. |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
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Einheitlich
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MMUN2233LT1G |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Einheitlich
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu finden. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SC75 BR XSTR PNP 50V
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Einheitlich
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NSVMUN5312DW1T2G |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrter SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
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Einheitlich
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
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Einheitlich
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SBC817-25LT1G |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SS GP XSTR SPCL TR
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Einheitlich
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SIHB33N60ET1-GE3 |
MOSFET N-KANAL 600V
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Vishay Halbleiter
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NVMFS5C410NLT3G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
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Einheitlich
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HAT2169H-EL-E |
MOSFET MOSFET
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Renesas Electronics
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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Einheitlich
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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