Filter
Filter
Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MBR0530T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
Diode GP 100V 200MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
S3GHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
BAT54T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
VS-20MQ100NTRPBF |
Diode SCHOTTKY 100V 2.1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen |
Diode Schottky 100V 5A bis 277A
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
NRVUS2MA |
Diode GEN PURP 1KV 1,5A DO214AC
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURS120-E3/52T |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Für die Berechnung der Verbrennungsmenge sind folgende Angaben erforderlich: |
Diode SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
US1M-E3/61T |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
BAV19W-HE3-08 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MRS1504T3G |
Diode GEN PURP 400V 1,5A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUH1PD-M3/89A |
Die Daten werden in der Datenbank auf der Website der Kommission veröffentlicht.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Diode GEN PURP 1,2KV 60A bis 247AD
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SF1600-TAP |
Dioden-Avalanche 1,6 KV 1A SOD57
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
FSV10150V |
Die Anzeige ist für die Anzeige der Anzeige der Anzeige zu verwenden.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
GF1M-E3/67A |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214BA
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Bei der Verwendung von Zylindersystemen |
Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diode Schottky 70V 200MA SOD123
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
Diode SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
US1MHE3_A/I |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diode SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die Angabe des Zustands des Zustands ist nicht erforderlich. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NSR02100HT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAT54WS-E3-08 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diode Schottky 30V 100MA 2X3DFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
LS4150GS08 |
Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
BAS16LT3G |
Diode GP 100V 200MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURS360-E3/57T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
S320 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Leistung zu verwenden.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
1N5406RLG |
Diode GEN PURP 600V 3A axiale
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MMSD701T1G |
Diode Schottky 70V 200MA SOD123
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NSR0320MW2T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAT54LT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRD1035CTLG |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAV23CLT1G |
BAV23C - Doppel-Hochspannungsschalter
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
NTST20U100CTG |
Diodenarray SCHOTTKY 100V bis 220
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diodenarray GP 600V 15A D2PAK
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
VS-30CTH02-M3 |
Diode FRED 200V 15A bis 220AB
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SBAV70LT3G |
Diodenarray GP 100V 200MA SOT23
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
Dioden-Streifen SCHOTTKY 200V bis 220
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUR1660CTG |
Diodenarray GP 600V 8A TO220AB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUR1640CTG |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die Daten werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten übermittelt. |
Die Anlage ist nicht mehr in Betrieb.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRF20200CTG |
Diodenarray SCHOTTKY 200V bis 220F
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAS70-04LT1G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die Daten werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten übermittelt. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
Diodenarray 100V 215MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
Diodenarray GP 100V 200MA SOT23
|
Einheitlich
|
|
|

