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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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BAS20-HE3-18 |
Diode GP 150V 200MA SOT23-3
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MBRS410LT3G |
Diode SCHOTTKY 10V 4A SMC
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Einheitlich
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Die Nomenklatur ist die Nomenklatur der Nomenklatur. |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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MUR860G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MBRS3100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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MURS240T3G |
Diode GEN PURP 400V 2A SMB
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Einheitlich
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MURA240T3G |
Diode GEN PURP 400V 2A SMA
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diode GEN PURP 600V 2A SMA
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Einheitlich
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MBRS260T3G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Einheitlich
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NRVTSM260EV2T1G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A Leistung
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Einheitlich
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MURS320T3G |
Diode GEN PURP 200V 3A SMC
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Einheitlich
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MBRA340T3G |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Einheitlich
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MBRM140T1G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A Leistung
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Einheitlich
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBR120VLSFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBRS340T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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Einheitlich
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SS16T3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Einheitlich
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MBR120LSFT3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBR2H100SFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Dioden.
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Einheitlich
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NRVB0540T1G |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Einheitlich
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MRA4007T3G |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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Einheitlich
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MBRM2H100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 2A Leistung
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Einheitlich
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SBAS20HT1G |
Dies ist der Fall, wenn die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten nicht mehr als zwei Jahre nach d
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Einheitlich
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MURS260-E3/52T |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NRVUS1MFA |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Einheitlich
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MURD320T4G |
DPAK-Diode für die Erzeugung von PURP 200V 3A
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Einheitlich
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MURS360T3G |
Diode GEN PURP 600V 3A SMC
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Einheitlich
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MBRS3200T3G |
Diode Schottky 200V 3A SMB
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Einheitlich
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MBRS240LT3G |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
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Einheitlich
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SS24T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
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Einheitlich
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MBR140ESFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 600V 30A bis 247AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-20ETS08-M3 |
Diode GEN PURP 800V 20A bis 220AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MUR460RLG |
Diode GEN PURP 600V 4A axiale
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Einheitlich
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US1GHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RS1J |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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NSR0240HT1G |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
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Einheitlich
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GP02-40-E3/54 |
Diode GEN PURP 4KV 250MA DO204AL
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MBRS2040LT3G |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
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Einheitlich
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MURA120T3G |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
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Einheitlich
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MBR0520LT1G |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
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Einheitlich
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Bei der Verwendung von Zylindern |
DIODE GP 1,65KV 1,5A DO204AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Es ist jedoch nicht möglich, die entsprechenden Angaben zu erstellen. |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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ES3G-E3/9AT |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBAS16XV2T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
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Einheitlich
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MURS360-M3/9AT |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-1EQH01-M3/H |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBAS16HT1G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 auf
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Einheitlich
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NSVBAS21HT3G |
Diode GEN PURP 250V 200MA SOD323
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Einheitlich
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