Filter
Filter
Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
SSA34-E3/61T |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgefüh
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
DIODEN-GEN PURP 200V 1A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURA110T3G |
Diode GEN PURP 100V 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NRVB1H100SFT3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRA120ET3G |
Diode Schottky 20V 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRA130LT3G |
Diode Schottky 30V 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Diode SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
US1K-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
NSVBAT54HT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR1045G |
Diode SCHOTTKY 45V 10A TO220-2
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRS4201T3G |
Diode Schottky 200V 4A SMC
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAT54XV2T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
1SS400T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUR180ERLG |
Diode GEN PURP 800V 1A axiale
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SBR80520LT1G |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUR140RLG |
Diode GEN PURP 400V 1A axiale
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURA160T3G |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRS140T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAS21HT1G |
Diode GEN PURP 250V 200MA SOD323
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR10100G |
Diode SCHOTTKY 100V 10A TO220-2
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRS540T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBRA210LT3G |
Diode Schottky 10V 2A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR130LSFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MURA220T3G |
Diode GEN PURP 200V 2A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MBR0540T1G |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NRVA4007T3G |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
1N4006-E3/54 |
Bei der Verwendung von Dioden ist die Menge der Diode zu messen.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MURS160-E3/52T |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
BYM11-600-E3/96 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
UF5408-E3/54 |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Diode-Avalanche 1,3 KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MMSD914T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAS21LT1G |
Diode GP 250V 200MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
US1MHE3_A/H |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
NRVBAF260T3G |
Diode Schottky 60V 2A SMA-FL
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MSE1PGHM3/89A |
Diode GEN PURP 400V 1A MICROSMP
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
V1FL45HM3/H |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Leistung zu verwenden.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
V12PM15HM3/H |
Diode Schottky 150V 12A bis 277A
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
VS-20MQ060HM3/5AT |
Diode SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
EGP20G-E3/54 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
S1MHE3_A/H |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
NSVBAS21M3T5G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAV102-GS08 |
Diode GP 150V 250MA SOD80
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
VS-60APU02-N3 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
