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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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NRVA4007T3G |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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Einheitlich
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1N4006-E3/54 |
Bei der Verwendung von Dioden ist die Menge der Diode zu messen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MURS160-E3/52T |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BYM11-600-E3/96 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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UF5408-E3/54 |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Diode-Avalanche 1,3 KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MMSD914T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAS21LT1G |
Diode GP 250V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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MMSD4148T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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US1MHE3_A/H |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NRVBAF260T3G |
Diode Schottky 60V 2A SMA-FL
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Einheitlich
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MSE1PGHM3/89A |
Diode GEN PURP 400V 1A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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V1FL45HM3/H |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Leistung zu verwenden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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V12PM15HM3/H |
Diode Schottky 150V 12A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-20MQ060HM3/5AT |
Diode SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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EGP20G-E3/54 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S1MHE3_A/H |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NSVBAS21M3T5G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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BAV102-GS08 |
Diode GP 150V 250MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-60APU02-N3 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1N5408RLG |
Diode GEN PURP 1KV 3A axiale
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Einheitlich
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S07J-GS08 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBAS116LT1G |
Diode GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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S1A-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-E5PH7512L-N3 |
Diode GEN PURP 1,2KV 75A bis 247AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diode SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
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Einheitlich
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5822SMJE3/TR13 |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMCJ
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Mikrochiptechnik
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SBAS16HT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 auf
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Einheitlich
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1N914BTR |
Diode GEN PURP 100V 200MA DO35
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Einheitlich
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JANTX1N4148-1 |
Diode GEN PURP 75V 200MA DO35
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Mikrochiptechnik
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NRVTS2H60ESFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Einheitlich
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NSR0340HT1G |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 1,2 KV 30A bis 247AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MUR1560G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MUR880EG |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MURS260T3G |
Diode GEN PURP 600V 2A SMB
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Einheitlich
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MBR120ESFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBRA160T3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Einheitlich
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SS26T3G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Einheitlich
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NHP120SFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden, die
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Einheitlich
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MBRD1045T4G |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
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Einheitlich
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MUR420RLG |
Diode GEN PURP 200V 4A axiale
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Einheitlich
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SS16FP |
Die Anlage ist nicht mehr in Betrieb.
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Einheitlich
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MURS480ET3G |
Diode GEN PURP 800V 4A SMC
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Einheitlich
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MBRS360BT3G |
Diode SCHOTTKY 60V 3A SMB
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Einheitlich
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ES1JFL |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Taiwan Semiconductor Corporation
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