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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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MMBTA06LT1G |
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Einheitlich
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1N5342BRLG |
Zenerdioden 6,8 V 5 W
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Einheitlich
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1SMB5920BT3G |
Zenerdioden 6,2 V 3 W
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Einheitlich
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MM3Z18VT1G |
Zenerdioden 18V 200mW
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Einheitlich
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Schottky-Dioden u. Gleichrichter SS SHKY DIO 30V TR
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Einheitlich
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NUP4302MR6T1G |
Schottky-Dioden und Berichterstatter Schottky-Array für 5 Datenleitungen
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Schottky-Dioden u. -gleichrichter KLEINE SIG SCHOTTKY S
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Schottky-Dioden und Berichtigungsvorrichtungen 2X3.5A 100V gemeinsame Kathode
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Vishay Halbleiter
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BAT-ACE-Code für die Berechnung der Luftverschmutzung |
Schottky-Dioden u. Gleichrichter SS VERDOPPELN cm
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Volt Doppel-TrenchMOS Schottky-Dioden-u. -gleichrichter-40 Amperes 100
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Vishay
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VS-10MQ100NTRPBF |
Schottky-Dioden u. -gleichrichter 2,1 Ampere 100 Volt
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Vishay Halbleiter
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BAT54ALT1G |
Schottky-Dioden u. allgemeine Verdoppelunganode der Gleichrichter-30V 225mW
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Einheitlich
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BAT54CWT1G |
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
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Vishay
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BAT54SWT1G |
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Einheitlich
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SBAT54ALT1G |
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Einheitlich
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BAV199LT1G |
Dioden - universeller Zweck, Energie, Schaltung 70V 215mA
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Einheitlich
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BAS16XV2T1G |
Dioden - universeller Zweck, Energie, Schaltung 75V 200mA
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Einheitlich
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BAS21DW5T1G |
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Einheitlich
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SBAV70LT1G |
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Einheitlich
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NRVA4004T3G |
Ausrichtungsgeräte REC SMA 1A 400V STD TR
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Einheitlich
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VS-20CDH02HM3/I |
Ausrüstung für die Anpassung an die Wärme
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Vishay Halbleiter
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VS-HFA16PB120-N3 |
Ausrichtungsgeräte 16A 1200V Ultrafast 30ns HEXFRED
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Vishay Halbleiter
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SURS8320T3G |
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Einheitlich
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DSPIC33EP128GP506T-I/PT |
Digitale Signalprozessoren und -controller - DSP, DSC 128 KB FL 16 KB RAM 60 MHz 64 Pin
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Mikrochiptechnik
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XC2S100-5TQG144C |
IC FPGA 92 I/O 144TQFP
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Xilinx Inc.
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A3P125-TQG144I |
FPGA - Feldprogrammierbares Tor Array ProASIC3
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Mikrosemi
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EP3C40F780I7N |
FPGA - Feldprogrammierbare Tor-Array FPGA - Zyklon III 2475 LABs 535 IO
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Altera / Intel
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5CGXFC4C7F23C8N |
FPGA - Feldprogrammierbare Tor-Array FPGA - Zyklon V GX 1886 LABs 240 IO
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Altera / Intel
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A3P060-VQG100 |
FPGA - Feldprogrammierbares Tor Array ProASIC3
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Mikrosemi
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Verwendung von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
Doppel-Hex-Treiber
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Einheitlich
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NVDSH50120C |
Diode SIL CARB 1,2 KV 53A TO247-2
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Einheitlich
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1N4148WT |
Schalter SOD-523 80V 150MW
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- Ja.
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1N4148WS |
Diode, Schaltanlage, 300 MA, 75 V, SO
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Good-Ark Halbleiter
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S1G |
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von
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- Ja.
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ES1J |
Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von
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- Ja.
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ES1G |
Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von
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- Ja.
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S1M |
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mindestens 20 mm ausgestattet.
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- Ja.
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ES3J |
- Das ist ein Superschnellkorrekturgerät.
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Good-Ark Halbleiter
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ES2D |
Richter, super schnell, 2A, 200V,
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Good-Ark Halbleiter
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ES1D |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.
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- Ja.
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LL4148 |
Diode, Schalter, 150 MA, 75 V, MI
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Good-Ark Halbleiter
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MURS120HE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S3BB |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MURS340-M3/9AT |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1N5617E3 |
Diode GEN PURP 400V 1A AXIAL
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Mikrochiptechnik
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MURS360BT3G |
Diode GEN PURP 600V 3A SMB
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Einheitlich
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NRVB140SFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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VS-20MQ100-M3/5AT |
Diode SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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