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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Diode-Avalanche 1,3 KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SF1600-TR |
Dioden-Avalanche 1,6 KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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US1DFA |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmenge.
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Einheitlich
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VS-3EGU06-M3/5BT |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Verwendung von
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu entnehmen. |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 1,2KV 8A bis 220AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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FFSP1065A |
Diode SIL CARB 650V 15A bis 220-2L
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Einheitlich
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VS-EPH3006-N3 |
Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Fahrzeuge, die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 715/2009 aufgeführt sind. |
Diode GEN PURP 600V 2,9A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Prüfung der Ausrüstung werden die folgenden Anforderungen erfüllt: |
Diode AVAL 1,6KV 1,5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BYG23M-E3/TR |
Dioden-Avalanche 1KV 1,5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NRVBA160NT3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Einheitlich
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HSM221CTL |
Zulassung für die Verwendung in Kraftfahrzeugen mit einer Leistung von mehr als 100 W
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 600V 12A bis 252
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MSS1P6-M3/89A |
Diode SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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EGF1T-E3/67A |
Diode GEN PURP 1,3 KV 1A DO214BA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Einheit für die Bereitstellung von Daten |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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S3M-E3/57T |
Diode GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die RGF1D-E3/67A |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBYV26C-E3/54 |
Diode GEN PURP 600V 1A DO204AL
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Ausrüstung wird von der Anlage erzeugt.
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V2FM15HM3/H |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Er
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S2JHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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ES1DHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Diode Schottky 100V 1A DO219AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S3JHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S3B-E3/57T |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
Diode SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
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V3FL45HM3/H |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 ge
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S1GHE3_A/I |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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BAT54HT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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1N4148W-HE3-08 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Geflügel und Pflanzen |
Diode GEN PURP 600V 6A P600
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Diode SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
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Einheitlich
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BY228TAP |
DIODE AVALANCHE 1,5KV 3A SOD64
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DGP30-E3/54 |
Diode GEN PURP 1,5 KV 3A DO201AD
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MURS340-E3/57T |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NRVBS360T3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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FDLL4148 |
DIODEN-GEN PURP 100V 200MA SOD80
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Einheitlich
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FSV20150V |
Diode Schottky 150V 20A TO277-3
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Einheitlich
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FSV1060V |
Diode Schottky 60V 10A TO277-3
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Einheitlich
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Bei der Verwendung von Zellstoff |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Für den Fall, dass ein Teil des Verbrauchs nicht mehr als 50% des Verbrauchs ausmachen kann. |
Diode SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MURHD560T4G |
DPAK-Diode für die Erzeugung von PURP 600V 5A
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Einheitlich
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MBRA2H100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMA
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Einheitlich
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Es ist jedoch nicht möglich, die Daten zu übermitteln. |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SURS8340T3G |
Diode GEN PURP 400V 3A SMC
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Einheitlich
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MBRD360T4G |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
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Einheitlich
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MURS340T3G |
Diode GEN PURP 400V 3A SMC
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Einheitlich
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