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Halbleiter IC

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
Qualität BAV99WT1G usine

BAV99WT1G

Diodenarray GP 100V 215MA SC70-3
Einheitlich
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität MBR2060CTG usine

MBR2060CTG

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
Einheitlich
Qualität V20PWM60C-M3/I usine

V20PWM60C-M3/I

Dioden-Streifen SCHOTT 60V SLIMDPAK
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität NSVBAS21TMR6T1G usine

NSVBAS21TMR6T1G

Diodenarray GP 250V 200MA SC74
Einheitlich
Qualität BAS21SLT1G usine

BAS21SLT1G

Diode-Streuer GP 250V 225MA SOT23
Einheitlich
Qualität BAS40-06LT1G usine

BAS40-06LT1G

Diodenarray SCHOTTKY 40V SOT23-3
Einheitlich
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Dioden-Streifen SCHOTTKY 150V bis 247
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.

D2PAK-Diode Schottky 150V 10A
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Diodenarray SCHOTTKY 100V bis 247
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

Diodenarray GP 300V 10A D2PAK
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität Für die Berechnung der Verbrennungsmenge usine

Für die Berechnung der Verbrennungsmenge

Dioden-Streifen SCHOTTKY 150V bis 247
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität V30200C-E3/4W usine

V30200C-E3/4W

Dioden-Streifen SCHOTTKY 200V bis 220
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität SBAV199LT1G usine

SBAV199LT1G

Diodenarray GP 70V 215MA SOT23-3
Einheitlich
Qualität Dies ist der Fall, wenn die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen erfüllt sind. usine

Dies ist der Fall, wenn die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen erfüllt sind.

Diodenmodul 70V 200MA SOT23
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität SBAT54CLT1G usine

SBAT54CLT1G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität SBAS70-04LT1G usine

SBAS70-04LT1G

Diode SCHOTTKY 70V Dual SOT23
Einheitlich
Qualität Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden. usine

Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden.

Dioden-Streifen GP 70V 200MA SOT23-3
Einheitlich
Qualität Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. usine

Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

Diodenarray GP 100V 200MA SOT23
Einheitlich
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Dioden-Streifen SCHOTTKY 60V bis 247AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Antrags ist in der Angabe des Antrags anzugeben. usine

Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Antrags ist in der Angabe des Antrags anzugeben.

Diodenarray GP 200V 16A bis 220AB
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb.

Dioden-Streifen SCHOTTKY 100V DPAK
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität VB30200C-E3/8W usine

VB30200C-E3/8W

Diodenarray SCHOTTKY 200V bis 263
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität SBAT54SLT1G usine

SBAT54SLT1G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität BZD27C43P-HE3-08 usine

BZD27C43P-HE3-08

Diode Zener 43V 800MW DO219AB
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität 1N4744A usine

1N4744A

Zenerdiode 15V 1W DO204AL
Taiwan Semiconductor Corporation
Qualität SZMM5Z30VT5G usine

SZMM5Z30VT5G

ZENER-DIODE SOD523
Einheitlich
Qualität BZD27C24P-HE3-08 usine

BZD27C24P-HE3-08

Diode Zener 24V 800MW DO219AB
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität 1N4746A usine

1N4746A

Diode Zener 18V 1W DO204AL
Taiwan Semiconductor Corporation
Qualität SZ1SMA5945BT3G usine

SZ1SMA5945BT3G

Diode ZENER 68V 1,5W SMA
Einheitlich
Qualität Der Schlüssel ist der Schlüssel. usine

Der Schlüssel ist der Schlüssel.

Diode Zener 6,8V 500MW DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Qualität HZS30NB2TD-E usine

HZS30NB2TD-E

Diode Zener 0,4 W
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Qualität 1SMB5927BT3G usine

1SMB5927BT3G

Diode ZENER 12V 3W SMB
Einheitlich
Qualität SZMMSZ5250BT1G usine

SZMMSZ5250BT1G

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
Einheitlich
Qualität SZMMSZ4678T1G usine

SZMMSZ4678T1G

Diode Zener 1,8 V 500 MW SOD123
Einheitlich
Qualität SZMMSZ5231BT1G usine

SZMMSZ5231BT1G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität MMSZ3V3T1G usine

MMSZ3V3T1G

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Einheitlich
Qualität MMSZ5250BT1G usine

MMSZ5250BT1G

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
Einheitlich
Qualität MMSZ4684T1G usine

MMSZ4684T1G

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Einheitlich
Qualität MMSZ5231BT1G usine

MMSZ5231BT1G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität MMSZ5248BT1G usine

MMSZ5248BT1G

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
Einheitlich
Qualität SZMM3Z3V3ST1G usine

SZMM3Z3V3ST1G

Diode Zener 3.3V 300MW SOD323
Einheitlich
Qualität BZX84C6V2LT1G usine

BZX84C6V2LT1G

Diode Zener 6,2 V 250 MW SOT23-3
Einheitlich
Qualität 1SMB5943BT3G usine

1SMB5943BT3G

Diode ZENER 56V 3W SMB
Einheitlich
Qualität Die Bezeichnung "M" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung des Erzeugnisses. usine

Die Bezeichnung "M" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung des Erzeugnisses.

Diode Zener 3.3V 300MW SOD323
Einheitlich
Qualität 1N5339BRLG usine

1N5339BRLG

Diode ZENER 5,6 V 5 W AXIAL
Einheitlich
Qualität 1SMB5928BT3G usine

1SMB5928BT3G

Diode Zener 13V 3W SMB
Einheitlich
Qualität 1SMB5924BT3G usine

1SMB5924BT3G

Diode Zener 9,1V 3W SMB
Einheitlich
Qualität 1SMA5918BT3G usine

1SMA5918BT3G

DIODE ZENER 5.1V 1,5W SMA
Einheitlich
Qualität TZMC43-GS08 usine

TZMC43-GS08

Diode Zener 43V 500MW SOD80
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
45 46 47 48 49