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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu berücksichtigen. |
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
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Einheitlich
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NTMFS5C410NT1G |
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
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Einheitlich
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SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A bis 263
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Vishay Siliconix
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Vishay Siliconix
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NTMFS5C645NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
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Einheitlich
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FDMS86300DC |
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
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Einheitlich
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FCD360N65S3R0 |
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
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Einheitlich
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SQJA36EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SI7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SQJA82EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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NTD20P06LT4G |
MOSFET P-CH 60V 15,5A DPAK
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Einheitlich
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Die Zulassung ist abgeschlossen. |
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
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Einheitlich
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FDN302P |
MOSFET P-CH 20V 2,4A SUPERSOT3
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Einheitlich
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FDA24N50F |
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
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Einheitlich
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FDA69N25 |
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
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Einheitlich
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FDB045AN08A0 |
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
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Einheitlich
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SUM70101EL-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A bis 263
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Vishay Siliconix
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NTD380N3Z |
MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
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Einheitlich
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IRFU120PBF |
MOSFET N-CH 100V 7,7A bis 251AA
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Vishay Siliconix
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NTTFS5C673NLTAG |
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
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Einheitlich
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SQJ872EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 24,5A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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NTF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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Einheitlich
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SQ7414CENW-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
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Vishay Siliconix
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FDC86244 |
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
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Einheitlich
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SQ2337ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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SQ2348ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 30V 8A bis 236
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Vishay Siliconix
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FDC5614P |
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
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Einheitlich
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FDC658AP |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
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Einheitlich
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FDN358P |
MOSFET P-CH 30V 1,5A SUPERSOT3
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Einheitlich
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NVR5124PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
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Einheitlich
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FDN335N |
MOSFET N-CH 20V 1,7A SUPERSOT3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 der Kommission [2] zu entnehmen. |
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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NTR4502PT1G |
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
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Einheitlich
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FCH072N60F |
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
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Einheitlich
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NTHL065N65S3F |
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
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Einheitlich
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IRFP9240PBF |
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
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Vishay Siliconix
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FDMS86350ET80 ist ein |
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
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Einheitlich
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NTMFS5C410NLT1G |
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
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Einheitlich
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FDP52N20 |
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
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Einheitlich
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ATP304-TL-H |
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
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Einheitlich
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FDB20N50F |
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu berücksichtigen. |
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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IRF530PBF |
MOSFET N-CH 100V 14A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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FDB52N20TM |
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
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Einheitlich
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NVMFS5113PLWFT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
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Einheitlich
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SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A bis 252AA
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Vishay Siliconix
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FDD86102 |
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
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Einheitlich
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SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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