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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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Die Bezeichnung "MMUN2232LT1G" |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Berechnung der Leistung.
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Einheitlich
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DTC114EET1G |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Einheitlich
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DTC143ZET1G |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Einheitlich
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MMUN2214LT1G |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Einheitlich
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MMUN2111LT1G |
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist mit einem Ausrüstungsgehalt von |
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Einheitlich
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist mit einer Breite von |
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Einheitlich
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BC848CPDW1T1G |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
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Einheitlich
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NSS40302PDR2G |
Transformations-NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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Einheitlich
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BC847BDW1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MC1413BDR2G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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NST3906DXV6T1G |
Trans 2PNP 40V 0,2A SOT563
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Einheitlich
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NST3946DXV6T1G |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
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Einheitlich
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HN1B01FDW1T1G |
Transformator NPN/PNP 50V 0,2A SC74
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Einheitlich
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SBC856BDW1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.
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Einheitlich
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SBC846BDW1T1G |
Bei der Anlage ist die Anlage zu verwenden.
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Einheitlich
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Bei der Übertragung von Kraftfahrzeugen auf die Schiene ist die Übertragung von Kraftfahrzeugen auf
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Einheitlich
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MBT3904DW1T1G |
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.
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Einheitlich
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BC856BDW1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.
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Einheitlich
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MBT3946DW1T1G |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
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Einheitlich
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NDS351AN |
MOSFET N-CH 30V 1,4A SUPERSOT3
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Einheitlich
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FCP190N60E |
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
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Einheitlich
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FDN340P |
SOT-23 MOSFETS ROHS
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UMW
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BSS123 |
N-CH MOSFET 100V 0,2A SOT-23-3L
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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
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IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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Vishay Siliconix
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FDB86363-F085 |
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
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Einheitlich
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FQPF4N90C |
MOSFET N-CH 900V 4A bis 220F
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Einheitlich
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FQU17P06TU |
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
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Einheitlich
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NVH4L022N120M3S |
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
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Einheitlich
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NVMFS5C410NLWFAFT1G |
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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FDP032N08 |
120A, 75V, 0,0032OHM, N-Kanal
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Texas Instruments
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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NTMFS6H836NT1G |
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen. |
MOSFET mit N-Kanal-Leistung
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Energie MOSFET
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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2V7002LT1G |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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Einheitlich
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IRFBE30SPBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Vishay Siliconix
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IRF644STRRPBF |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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Vishay Siliconix
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NVMFS5C420NWFT1G |
Wir haben eine Reihe von Anwendungen, bei denen die Anwendungen für die Bereitstellung von Antrieben
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Einheitlich
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NVMFS5C638NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
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Einheitlich
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FDB12N50TM |
MOSFET N-CH 500V 11,5A D2PAK
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Einheitlich
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
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Einheitlich
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FCP099N65S3 |
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
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Einheitlich
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SIHB24N80AE-GE3 |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
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Vishay Siliconix
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