Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Beschreibung:
IC FREQ SYNTH 32TQFP
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Uhr/Zeit
Zeitgeneratoren, PLLs, Frequenzsynthesizer
Verhältnis - Eingang:Ausgang:
1:2
Eingabe:
HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Differential - Eingabe:Ausgabe:
Ja/Ja
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Teiler/Multiplikator:
Ja/Nein
Lieferanten-Gerätepaket:
32 TQFP (7x7)
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Häufigkeit - Max.:
700 MHz
Typ:
Frequenzsynthesizer
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Packung / Gehäuse:
32-LQFP
Ausgabe:
LVPECL
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C
PLL:
Ja, mit Bypass
Anzahl der Schaltungen:
1
Basisproduktnummer:
8432D
Einleitung
Frequenzsynthesizer IC 700MHz 1 32-LQFP
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RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind.
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen.
N-CHANNEL POWER MOSFET
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden.
POWER MOSFET
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
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RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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HZS30NB2TD-E |
DIODE ZENER 0.4W
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen. |
N-CHANNEL POWER MOSFET
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
POWER MOSFET
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RJK0651DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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