RJK0651DPB-00#J5
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
SC-100, SOT-669
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 12.5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2030 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
LFPAK
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
25A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
45W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
RJK0651
Einleitung
N-Kanal 60 V 25A (Ta) 45W (Tc) Oberflächenhalter LFPAK
Verwandte Produkte
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
HSM221CTL
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
HZS30NB2TD-E
DIODE ZENER 0.4W
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind.
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen.
N-CHANNEL POWER MOSFET
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden.
POWER MOSFET
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
23S08T-1DCG8
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
IC FREQ SYNTH 32TQFP
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
|
|
![]() |
HZS30NB2TD-E |
DIODE ZENER 0.4W
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen. |
N-CHANNEL POWER MOSFET
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
|
|
![]() |
Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
POWER MOSFET
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
|
|
![]() |
23S08T-1DCG8 |
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
IC FREQ SYNTH 32TQFP
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
Mindestbestellmenge: