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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind.

fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Reihe:
-
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
49 nC @ 4,5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-WPAK (3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2mOhm @ 32,5A, 10V
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7650 pF @ 10 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Verlustleistung (maximal):
65 W (Tc)
Packung / Gehäuse:
8-PowerWDFN
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
65A (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Fet-Eigenschaft:
-
Einleitung
N-Kanal 30 V 65A (Ta) 65W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-WPAK (3)
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen.

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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden.

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