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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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FDBL0330N80 |
MOSFET zu bleifreiem MV7 80V
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Fairchild Halbleiter
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FDD8874 |
MOSFET 30V N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FDS4559 |
MOSFET 60V/60V N/P
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Fairchild Halbleiter
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SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET-Lastschalter 1,8 V RA W/ LEVEL SHIFT
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Vishay Halbleiter
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SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds ((on) 24h
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Siliconix / Vishay
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NTTFS4937NTWG |
MOSFET 30V 75A 4,5 mOhm Einzel-N-Kanal u8FL
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Einheitlich
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NCV8405ASTT1G |
MOSFET selbstgeschützte untere Seite F
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Einheitlich
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FDC6312P |
MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
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Fairchild Halbleiter
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NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
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Einheitlich
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Ampere
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Vishay Halbleiter
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2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2,5 Ohm
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Einheitlich
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IPD50N08S4-13 |
MOSFET N-Kanal 75/80V
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Infineon Technologies
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NTZD3154NT5G |
MOSFET 20V 540mA Doppel-N-Kanal mit ESD
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Einheitlich
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Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1372/2008 enthalten. |
MOSFET N-CH Leistung MOSFET 1500V 2,5A
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Einheitlich
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NTD6416ANT4G |
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
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Einheitlich
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IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6,1 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FDP61N20 |
MOSFET 200 V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 Mohms @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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NTR2101PT1G |
MOSFET -8V 3.7A P-Kanal
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Einheitlich
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NVD5862NT4G |
MOSFET NFET 60V 98A 5,7 MOHM
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Einheitlich
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Einheitliche Prüfungen |
MOSFET MOSFET
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Infineon Technologies
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SIS413DN-T1-GE3 |
MOSFET -30V 9,4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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Infineon Technologies
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IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FDD8444 |
MOSFET Niedrigspannung
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Fairchild Halbleiter
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SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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FZ600R12KE4HOSA1 |
Modell IGBT MED PWR 62MM-2
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Infineon Technologies
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NJVMJD45H11T4G |
Bipolare Transistoren - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
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Einheitlich
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2SA2202-TD-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 2A 100V
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Einheitlich
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NJV4031NT1G |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
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Einheitlich
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NJVMJD45H11RLG |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 8A 80V TR
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Einheitlich
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NJV4030PT1G |
Bipolare Transistoren - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
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Einheitlich
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SBCP53-16T1G |
Bipolare Transistoren - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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Einheitlich
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MJE253G |
Bipolare Transistoren - BJT 4A 100V 15W PNP
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Einheitlich
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BCP53-16T1G |
Bipolare Transistoren - BJT 1,5A 100V PNP
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Einheitlich
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NJW3281G |
Bipolare Transistoren - BJT 200 WETA AUDIO
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Einheitlich
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MJD210G |
Bipolare Transistoren - BJT 5A 25V 12,5W PNP
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Einheitlich
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NJVMJD340T4G |
Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 0,5A 300V TR
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Einheitlich
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MJE182G |
Bipolare Transistoren - BJT 3A 80V 12,5W NPN
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Einheitlich
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Die Befehlshaberin ist der Befehlshaberin. |
Bipolare Transistoren - BJT 600mA 60V PNP
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Einheitlich
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CPH3116-TL-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 1A 50V
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Einheitlich
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CPH3216-TL-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 1A 50V
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Einheitlich
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SBC807-25LT1G |
Bipolare Transistoren - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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Einheitlich
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SBCP53-10T1G |
Bipolare Transistoren - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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Einheitlich
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2SC3647S-TD-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 2A 100V
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Einheitlich
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2N3773G |
Bipolare Transistoren - BJT 16A 140V 150W NPN
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Einheitlich
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