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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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BSP52T3G |
Darlington Transistoren SS DL XSTR NPN 80V
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Einheitlich
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MJH6287G |
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Einheitlich
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NJD35N04T4G |
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Einheitlich
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RJH60F7BDPQ-A0#T0 |
IGBT-Transistoren
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Renesas Electronics
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NGTB25N120FL3WG |
IGBT-Transistoren IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
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Einheitlich
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FGA40T65SHD |
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
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Fairchild Halbleiter
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FGH60N60SMD |
IGBT-Transistoren 600V/60A Feldstop IGBT-Version 2
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Fairchild Halbleiter
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NGTB50N120FL2WG |
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Einheitlich
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FGH75T65UPD |
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Fairchild Halbleiter
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MUN5235DW1T1G |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA 50V BRT Dual NPN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
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Einheitlich
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DTC114YET1G |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 geändert. |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
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Einheitlich
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MMUN2233LT1G |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Einheitlich
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu finden. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SC75 BR XSTR PNP 50V
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Einheitlich
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NSVMUN5312DW1T2G |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrter SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
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Einheitlich
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
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Einheitlich
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SBC817-25LT1G |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SS GP XSTR SPCL TR
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Einheitlich
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SIHB33N60ET1-GE3 |
MOSFET N-KANAL 600V
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Vishay Halbleiter
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NVMFS5C410NLT3G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
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Einheitlich
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HAT2169H-EL-E |
MOSFET MOSFET
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Renesas Electronics
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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Einheitlich
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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NVD5C684NLT4G |
MOSFET T6 60V LL DPAK
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Einheitlich
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NTMFS5C628NLT1G |
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
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Vishay Halbleiter
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 30V 250mA Doppel-N-Kanal
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Einheitlich
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BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
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Fairchild Halbleiter
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2N7002WT1G |
MOSFET KLEINES SIGNAL MOSFET 6,8 V LO C
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Einheitlich
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FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Einheitlich
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IRFB18N50KPBF |
MOSFET N-Chan 500V 17 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FDS6898A |
MOSFET SO-8
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Fairchild Halbleiter
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MCH6445-TL-W |
MOSFET NCH 4A 60V 4V Antrieb MCPH6
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Einheitlich
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SI7956DP-T1-GE3 |
MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET P-Kanal 12V AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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FDC3601N |
MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
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Fairchild Halbleiter
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FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Kanal-Leistungsgraben
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Einheitlich
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NTA7002NT1G |
MOSFET 30V 154mA N-Kanal
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Einheitlich
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FDG6303N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
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Fairchild Halbleiter
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NTMFS5C442NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2,8MO
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Einheitlich
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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Einheitlich
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IRFPC60LCPBF |
MOSFET N-Chan 600V 16 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FCH099N60E |
MOSFET SuperFET2 600V langsame Version
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Fairchild Halbleiter
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FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Kanal-Stromspannung MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQB8N90CTM |
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET C-Serie
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Fairchild Halbleiter
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Fairchild Halbleiter
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FDD4685 |
MOSFET -40V P-Kanal-PowerTrench MOSFET
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Einheitlich
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FDS8858CZ |
MOSFET 30 V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQD7P20TM |
MOSFET 200V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS4897C |
MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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