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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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FDC6401N |
MOSFET Dual N-Ch 2,5 V Spec Power Trench
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Fairchild Halbleiter
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SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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NTMFS5C426NT1G |
MOSFET T6D3F 40V NFET
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Einheitlich
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FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
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Einheitlich
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NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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Einheitlich
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FDG6316P |
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
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Einheitlich
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NVMFD5C466NT1G |
40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
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Einheitlich
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MMBF170LT1G |
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
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Einheitlich
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NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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Einheitlich
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FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
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Einheitlich
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NTNS3193NZT5G |
MOSFET N-CH 20V 0,224A XLLGA3
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Einheitlich
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, frei von Pb
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Renesas Electronics
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Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt, und die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt. |
MOSFET MV8 P Anfangsprogramm
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Einheitlich
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NVD6415ANLT4G-VF01 |
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET selbstgeschützte untere Seite F
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Einheitlich
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NTS4101PT1G |
MOSFET -20V -1,37A P-Kanal
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Einheitlich
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NVR4501NT1G |
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
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Einheitlich
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 Mohm
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Vishay Halbleiter
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NTJS4151PT1G |
MOSFET -20V -4.2A P-Kanal
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET selbstgeschützte FET
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Einheitlich
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NTS2101PT1G |
MOSFET -8V -1.4A P-Kanal
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Einheitlich
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NVMFS5C468NLT1G |
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
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Einheitlich
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NTMD4840NR2G |
MOSFET NFET SO8 30V 7,5A 0,034R
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Einheitlich
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FDP51N25 |
MOSFET 250 V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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NDS9407 |
MOSFET Einzel-P-Ch-MOSFET-Leistungsgraben
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Fairchild Halbleiter
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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2N7000TA |
MOSFET 60V N-Kanal
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Fairchild Halbleiter
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NVMFS5C404NLWFT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
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Einheitlich
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FDMS8320L |
MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDMS7602S |
MOSFET 30V Doppel-N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FCD380N60E |
MOSFET 600V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS6990AS |
MOSFET 30 V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. |
MOSFET 30V 6,0A 6,3W 30mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FDC6305N |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
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Fairchild Halbleiter
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IPD15N06S2L-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. |
MOSFET JET Serie MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
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Renesas Electronics
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FDC6420C |
MOSFET 20V/-20V N/P
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Fairchild Halbleiter
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NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
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Einheitlich
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Fairchild Halbleiter
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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IRL520PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Ampere
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Vishay Halbleiter
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NVD2955T4G |
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
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Einheitlich
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FDA59N30 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IRF9530STRLPBF |
MOSFET P-Chan 100V 12 Ampere
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Vishay Halbleiter
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ECH8697R-TL-W |
MOSFET NCH 2,5 V Gemeinsamer Abfluss
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Einheitlich
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IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Ampere
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Vishay Halbleiter
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