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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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TIP147T |
Darlington Transistoren PNP Transistor Darlington 100V/10a
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Fairchild Halbleiter
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BU931P |
Darlington Transistoren NPN Power Darlington
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STMikroelektronik
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TIP122 |
Darlington Transistoren NPN Power Darlington
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STMikroelektronik
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STGW60H65DFB |
IGBT-Transistoren 600V 60A Graben-Gate-Feldstop IGBT
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STMikroelektronik
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STGWA25H120DF2 |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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Stgwa50M65DF2 |
IGBT-Transistoren Gräben-Tor-Feldstop IGBT M-Serie, 650 V 50 A geringer Verlust
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STMikroelektronik
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STGW80V60DF |
IGBT-Transistoren Gräbentor V-Serie 600V 80A HiSpd
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STMikroelektronik
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STGWA60H65DFB |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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STGW39NC60VD |
IGBT-Transistoren N-CHANNEL MFT
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STMikroelektronik
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STGD18N40LZT4 |
IGBT-Transistoren EAS 180 mJ-400 V mit IGBT-Klemm
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STMikroelektronik
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Die Zulassung ist nur möglich, wenn: |
IGBT-Transistoren 2A 6V Kurzschluss IGBT
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STMikroelektronik
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STGWA40H65DFB |
IGBT Transistoren Trench Gate Feldstop IGBT, HB-Serie 650 V, 40 A Hochgeschwindigkeit
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STMikroelektronik
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STGW80H65DFB |
IGBT-Transistoren Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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STMikroelektronik
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STGW60V60DF |
IGBT-Transistoren 600V 60A Hochgeschwindigkeits-Grench Gate IGBT
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STMikroelektronik
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STGP30M65DF2 |
IGBT Transistoren Trench Gate Feldstop IGBT M-Serie, 650 V 30 A geringer Verlust
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STMikroelektronik
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STGW20NC60VD |
IGBT-Transistoren N-Ch 600 Volt 30 Ampere
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STMikroelektronik
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STGB15M65DF2 |
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STMikroelektronik
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STGB30H60DFB |
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STMikroelektronik
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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Einheitlich
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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Einheitlich
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STW48NM60N |
MOSFET N-CH 600V 39A bis 247
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STMikroelektronik
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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Einheitlich
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STP150N10F7 |
MOSFET N-Ch 100V 0,0036 Ohm Typ 110A
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STMikroelektronik
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STP17N80K5 |
MOSFET Leistung MOSFET
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STMikroelektronik
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FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET Leistung MOSFET
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STMikroelektronik
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Stellenabbau |
MOSFET N-Kanal 1500 V 4 A PowerMESH
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STMikroelektronik
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STP315N10F7 |
MOSFET Leistung MOSFET
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STMikroelektronik
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STS4DNF60L |
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
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STMikroelektronik
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FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
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Einheitlich
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363
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Einheitlich
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FDC6312P |
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
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Einheitlich
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FDC6305N |
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
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Einheitlich
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FDC6420C |
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 1KV 8.3A bis 247
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STMikroelektronik
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NTS4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
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Einheitlich
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FQD7P20TM |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
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Einheitlich
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STP110N7F6 |
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A bis 220
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Produkte. |
IGBT-Module SLLIMM IPM der 2. Serie, 3-Phasen-Wechselrichter, 10 A, 600 V Kurzschluss robuste IGBT
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STMikroelektronik
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STGIPQ3H60T-HL |
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STMikroelektronik
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Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist folgende: |
Schottky-Dioden-u. -gleichrichter-Energie-Schottky-Gleichrichter
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STMikroelektronik
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Stellenausrüstung |
Schottky-Dioden und Berichtigungsgeräte 200 V Schottky-DV-DV 45 pF TO220PF 2000 V
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STMikroelektronik
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Stellenaufnahme |
Schottky-Dioden u. Gleichrichter 2x30 Ampere 100 Volt
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STMikroelektronik
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Stellenabbau |
Schottky-Dioden und Berichterstatter 2x30 Ampere 150 Volt
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STMikroelektronik
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Stellenabschneidung |
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STMikroelektronik
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STTH2003CT |
Ausrüstung für die Anpassung an die Wärme
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STMikroelektronik
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STPSC10H065D |
Diode SIL CARB 650V 10A bis 220AC
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STMikroelektronik
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FERD40H100STS |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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STMikroelektronik
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Stellenabschluss |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMB
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STMikroelektronik
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Die Bezeichnung ist: STTH1512G-TR |
D2PAK
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STMikroelektronik
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