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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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1N4751A-TR |
Diode Zener 30V 1,3W DO41
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SZMM3Z5V1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MMSZ4698T1G |
DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
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Einheitlich
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SZMMSZ4679T1G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MM3Z13VT1G |
Diode Zener 13V 300MW SOD323
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Einheitlich
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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen. |
Diode Zener 3V 300MW SOD323
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Einheitlich
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MMSZ4707T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Einheitlich
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MM3Z11VT1G |
Diode Zener 11V 300MW SOD323
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Einheitlich
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SZMMSZ5232BT1G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MMSZ22T1G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MMSZ5251BT1G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MMSZ5256BT1G |
Diode Zener 30V 500MW SOD123
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Einheitlich
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Die Befehle der Kommission gelten für die Befehle der Kommission. |
Diode Zener 7,5 V 225 MW SOT23-3
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Einheitlich
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BZX84C16LT1G |
Diode Zener 16V 250MW SOT23-3
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Einheitlich
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1N5245BTR |
Diode Zener 15V 500MW DO35
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Einheitlich
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MMSZ5262BT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MMSZ16T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Einheitlich
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MMSZ33T1G |
DIODE ZENER 33V 500MW SOD123
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Einheitlich
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BZX84C2V7LT1G |
Diode Zener 2,7 V 250 MW SOT23-3
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Einheitlich
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BZX84C10LT1G |
Diode Zener 10V 250MW SOT23-3
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Einheitlich
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Die Befehle der Kommission gelten für die Befehle der Kommission. |
Diode Zener 16,18V 300 MW SOD323
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
Rf-DIODE PIN 100V 2.5W DO216
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Mikrochiptechnik
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Die Ausrüstung wird von der Abteilung für die Überwachung der Luftfahrt eingesetzt. |
DIODE SCHOTT 5V 30MA SC59-3/CP3
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Einheitlich
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Die Bezeichnung "MMUN2232LT1G" |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Berechnung der Leistung.
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Einheitlich
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DTC114EET1G |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Einheitlich
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DTC143ZET1G |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Einheitlich
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MMUN2214LT1G |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Einheitlich
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MMUN2111LT1G |
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist mit einem Ausrüstungsgehalt von |
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Einheitlich
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist mit einer Breite von |
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Einheitlich
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BC848CPDW1T1G |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
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Einheitlich
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NSS40302PDR2G |
Transformations-NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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Einheitlich
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BC847BDW1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MC1413BDR2G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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NST3906DXV6T1G |
Trans 2PNP 40V 0,2A SOT563
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Einheitlich
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NST3946DXV6T1G |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
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Einheitlich
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HN1B01FDW1T1G |
Transformator NPN/PNP 50V 0,2A SC74
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Einheitlich
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SBC856BDW1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.
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Einheitlich
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SBC846BDW1T1G |
Bei der Anlage ist die Anlage zu verwenden.
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Einheitlich
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Bei der Übertragung von Kraftfahrzeugen auf die Schiene ist die Übertragung von Kraftfahrzeugen auf
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Einheitlich
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MBT3904DW1T1G |
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.
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Einheitlich
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BC856BDW1T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.
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Einheitlich
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MBT3946DW1T1G |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
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Einheitlich
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NDS351AN |
MOSFET N-CH 30V 1,4A SUPERSOT3
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Einheitlich
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FCP190N60E |
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
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Einheitlich
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FDN340P |
SOT-23 MOSFETS ROHS
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UMW
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BSS123 |
N-CH MOSFET 100V 0,2A SOT-23-3L
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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
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