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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1N5408RLG |
Diode GEN PURP 1KV 3A axiale
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Einheitlich
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S07J-GS08 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBAS116LT1G |
Diode GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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S1A-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-E5PH7512L-N3 |
Diode GEN PURP 1,2KV 75A bis 247AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diode SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
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Einheitlich
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5822SMJE3/TR13 |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMCJ
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Mikrochiptechnik
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SBAS16HT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 auf
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Einheitlich
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1N914BTR |
Diode GEN PURP 100V 200MA DO35
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Einheitlich
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JANTX1N4148-1 |
Diode GEN PURP 75V 200MA DO35
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Mikrochiptechnik
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NRVTS2H60ESFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Einheitlich
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NSR0340HT1G |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Diode GEN PURP 1,2 KV 30A bis 247AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MUR1560G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MUR880EG |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MURS260T3G |
Diode GEN PURP 600V 2A SMB
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Einheitlich
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MBR120ESFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBRA160T3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Einheitlich
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SS26T3G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Einheitlich
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NHP120SFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden, die
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Einheitlich
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MBRD1045T4G |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
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Einheitlich
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MUR420RLG |
Diode GEN PURP 200V 4A axiale
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Einheitlich
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SS16FP |
Die Anlage ist nicht mehr in Betrieb.
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Einheitlich
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MURS480ET3G |
Diode GEN PURP 800V 4A SMC
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Einheitlich
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MBRS360BT3G |
Diode SCHOTTKY 60V 3A SMB
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Einheitlich
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ES1JFL |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MBR0530T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAS16LT1G |
Diode GP 100V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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S3GHE3_A/H |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAT54T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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VS-20MQ100NTRPBF |
Diode SCHOTTKY 100V 2.1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen |
Diode Schottky 100V 5A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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NRVUS2MA |
Diode GEN PURP 1KV 1,5A DO214AC
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Einheitlich
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MURS120-E3/52T |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Für die Berechnung der Verbrennungsmenge sind folgende Angaben erforderlich: |
Diode SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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US1M-E3/61T |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAV19W-HE3-08 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MRS1504T3G |
Diode GEN PURP 400V 1,5A SMB
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Einheitlich
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MUH1PD-M3/89A |
Die Daten werden in der Datenbank auf der Website der Kommission veröffentlicht.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Diode GEN PURP 1,2KV 60A bis 247AD
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SF1600-TAP |
Dioden-Avalanche 1,6 KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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FSV10150V |
Die Anzeige ist für die Anzeige der Anzeige der Anzeige zu verwenden.
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Einheitlich
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GF1M-E3/67A |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214BA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Verwendung von Zylindersystemen |
Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diode Schottky 70V 200MA SOD123
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
Diode SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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US1MHE3_A/I |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diode SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Angabe des Zustands des Zustands ist nicht erforderlich. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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