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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, |
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
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Einheitlich
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IRF640PBF |
MOSFET N-CH 200V 18A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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NTMFS5C442NT1G |
MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
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Einheitlich
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FDBL0150N80 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
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Einheitlich
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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 zu finden. |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A bis 263
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Vishay Siliconix
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IRFR430ATRPBF |
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
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Vishay Siliconix
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FCD900N60Z |
MOSFET N-CH 600V 4,5A bis 252
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Einheitlich
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FDMC86102L |
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
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Einheitlich
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IRFR214TRPBF |
MOSFET N-CH 250V 2,2A DPAK
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Vishay Siliconix
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SUD15N15-95-E3 |
MOSFET N-CH 150V 15A bis 252
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Vishay Siliconix
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NTMFS5C670NLT3G |
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
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Einheitlich
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FDS86242 |
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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SQ3426AEEV-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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SQ2398ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 1,6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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FDN339AN |
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
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Einheitlich
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NTGS4141NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3,5A 6TSOP
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Einheitlich
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NTBG025N065SC1 |
SILICON-CARBID (SIC) MOSFET - 1
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Einheitlich
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2V7002KT1G |
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
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Einheitlich
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NVH4L160N120SC1 |
SICFET N-CH 1200V 17.3A bis 247
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Einheitlich
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FDN352AP |
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
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Einheitlich
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2N7002LT1G |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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Einheitlich
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SIHB22N60ET1-GE3 |
MOSFET N-CH 600V 21A bis 263
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Vishay Siliconix
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FDMS8333L |
MOSFET N CH 40V 22A Leistung 56
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Einheitlich
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SUD19N20-90-E3 |
MOSFET N-CH 200V 19A bis 252
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Vishay Siliconix
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FDA032N08 |
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. |
TREIBEN SIE MOSFET, N-KANAL, SUPERFE AN
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Einheitlich
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SQD25N15-52_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 25A bis 252
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Vishay Siliconix
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IRF840STRLPBF |
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
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Vishay Siliconix
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FDP032N08B-F102 |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
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Einheitlich
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FDS8870 |
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
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Einheitlich
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SQ3418EV-T1_GE3 |
MOSFET N-Kanal 40V 8A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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IRFR014TRLPBF |
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
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Vishay Siliconix
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NTBG080N120SC1 |
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
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Einheitlich
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NTH4L045N065SC1 |
MOSFET aus Siliziumkarbid, NCHANNEL
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Einheitlich
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IRFBC30PBF |
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
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Vishay Siliconix
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FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
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Einheitlich
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IRFP360PBF |
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
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Vishay Siliconix
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IRFZ14PBF |
MOSFET N-CH 60V 10A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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IRF9530PBF |
MOSFET P-CH 100V 12A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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IRFBE30PBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
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Vishay Siliconix
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Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Antrags ist in der Angabe des Antrags anzugeben. |
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SISS42LDN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
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Vishay Siliconix
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IRFPE50PBF |
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
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Vishay Siliconix
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SQS481ENW-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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SQA403EJ-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
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Vishay Siliconix
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IRF830PBF |
MOSFET N-CH 500V 4,5A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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