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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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FDC658AP |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
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Einheitlich
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FDN358P |
MOSFET P-CH 30V 1,5A SUPERSOT3
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Einheitlich
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NVR5124PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
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Einheitlich
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FDN335N |
MOSFET N-CH 20V 1,7A SUPERSOT3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 der Kommission [2] zu entnehmen. |
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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NTR4502PT1G |
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
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Einheitlich
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FCH072N60F |
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
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Einheitlich
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NTHL065N65S3F |
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
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Einheitlich
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IRFP9240PBF |
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
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Vishay Siliconix
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FDMS86350ET80 ist ein |
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
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Einheitlich
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NTMFS5C410NLT1G |
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
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Einheitlich
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FDP52N20 |
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
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Einheitlich
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ATP304-TL-H |
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
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Einheitlich
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FDB20N50F |
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu berücksichtigen. |
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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IRF530PBF |
MOSFET N-CH 100V 14A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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FDB52N20TM |
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
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Einheitlich
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NVMFS5113PLWFT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
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Einheitlich
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SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A bis 252AA
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Vishay Siliconix
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FDD86102 |
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
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Einheitlich
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SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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FDD6637 |
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
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Einheitlich
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FDMS86540 |
MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
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Einheitlich
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NTD25P03LT4G |
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
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Einheitlich
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SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
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Vishay Siliconix
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FDD86569-F085 |
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
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Einheitlich
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NTD6416ANLT4G |
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
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Einheitlich
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FDS6679AZ |
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
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Einheitlich
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FQD19N10LTM |
MOSFET N-CH 100V 15,6A DPAK
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Einheitlich
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FQT1N60CTF-WS |
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
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Einheitlich
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SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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SI4056ADY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 5,9A/8,3A 8SOIC
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Vishay Siliconix
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NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
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Einheitlich
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NTR1P02T1G |
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
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Einheitlich
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Der Wert der Verpackung ist zu messen. |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
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Einheitlich
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
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Einheitlich
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BSS84LT1G |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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Einheitlich
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CPH6350-TL-W |
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
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Einheitlich
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BSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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SUM110P06-08L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A bis 263
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Vishay Siliconix
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Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET N-CH 200V 18A bis 263
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Vishay Siliconix
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SUM55P06-19L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
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Vishay Siliconix
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FDMS86101 |
MOSFET N-CH 100V 12,4A/60A 8PQFN
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Einheitlich
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FDMC86261P |
MOSFET P-CH 150V 2,7A/9A 8MLP
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Einheitlich
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Siehe Anhang I Abschnitt 3 der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 |
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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IRFL210TRPBF |
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
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Vishay Siliconix
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SQ3427EV-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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NTRV4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
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Einheitlich
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SIHP18N50C-E3 |
MOSFET N-CH 500V 18A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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